FDB6030L
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDB6030L |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
567+ | $0.53 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 26A, 10V |
Verlustleistung (max) | 52W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 48A (Ta) |
FDB6030L Einzelheiten PDF [English] | FDB6030L PDF - EN.pdf |
FDB6035 FAIRCHILD
FAIRCHILD TO263
VBSEMI TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDB6030AL-M VB
FDB6030 VB
FDB6030PL VB
N-CHANNEL POWER MOSFET
FAIRCHILD TO-263
FDB6030BL. FAI
MOSFET N-CH 30V 40A R-6
FAIRCHILD TO-263
FAIRCHI TO-263
FDB6030AL FSC
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 40A R-6
MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
TO-263 FSC
2024/10/16
2024/05/13
2024/09/9
2024/04/23
FDB6030LFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|